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中国半导体热潮追踪:行动加速

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发表于 2019-5-3 06:02:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
投资发起3 s: A! L4 @  {3 ^& h
  重申对同方国芯、中芯国际、上海复旦微电子的“保举”评级;ASM Pacific、华虹半导体及国民技能的“中性”评级。
  t7 o; H/ g" c& B' q3 g: o
3 s- ~0 \  v1 ~  来由
3 j  G& c0 N7 P$ n  未来五年,大基金将向国内半导体连续投资1,000 亿美元;2015年,中央及地方政府团结私募答应,在未来五年里向半导体行业投资1,000 亿美元,并设立投资基金;清华紫光在未来五年也将投资470 亿美元,目的跻身天下前三的芯片制造商。中国的目的是到2020 年,满足国内40%的半导体斲丧。我们以为,中国集成电路财产基金会继承收并购装备市场细分行业里的中小市值装备制造商,以及贸易化半导体范畴的半导体制造商。
7 v' L$ |# R$ p  J0 O" r, d2 u8 A9 d
8 H5 d7 n) Z3 i8 r  同飞索半导体相助,3D NAND 闪存工厂成为中国的里程碑;3月尾中国存储器制造商武汉新芯开工制作新晶片工厂,初期告急战略产物为市场现有开始进的闪存3D-NAND 闪存。同年2 月,飞索半导体公布同武汉新芯在3D-NAND 技能方面开展相助,快速追赶其他NAND 闪存供应商。我们以为中国有望将通过武汉新芯存储芯片创建,打造并实现良性的国内半导体制造生态体系。
; ]. H! h+ J6 ~. T; q, S' T, {  J1 R" E$ q5 N5 j
  联合NAND 闪存市场的中国计谋,中国2020 年闪存产能有望到达59 万片/月;进入NAND 闪存市场,中国采取四个告急途径:. o1 T# v- l5 ^: r4 l9 s
  1)改善制造本钱结构;2)开辟3D-NAND 需求;3)结构新兴市场;4)吸引外资在国内投资生产储存器。而中国国内闪存产能筹划在2020 年到达59 万片/月,是2015 年的近7 倍。
  ]+ o& L+ I# D- n, C' v
& |- O% a8 D: q, |  存在收并购及潜伏的羁系风险,小市值并购数将多于大市值并购;在考量交易业务案是否会威胁国家安全时,美国外国投资委员会关注如下因素:1)在关系国家安全的范畴里,美国的技能领先职位是否会受到影响;2)对美国关键技能的潜伏影响。思量半导体是美国国防、国家安全和关键技能中不可分割的一部分,我们以为美国外国投资委员会更倾向于允许中国机构的小规模并购,而非大型美国公司的并购。
/ ]$ Q+ u. P- H. @% c
1 ?4 S+ O- T4 [1 q  红利猜测与估值0 B3 l7 Y+ `7 D  Q" ^: _
  中国筹划进入存储行业的受益标的:同方国芯、中芯国际、上海复旦微电子(保举);ASM Pacific、华虹半导体及国民技能(中性)。
# |4 c( P& w# ^. i
$ v2 ]3 t& y! v4 p6 e  风险
0 \9 U2 G3 S  R9 f1 @) ~  国内NAND 和DRAM 的创建进程慢于预期。
9 _7 x0 L" q0 p) _3 i# h4 q# [2 F
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